[发明专利]近阈值超低漏电的锁存型存储器单元及其读写控制电路有效
| 申请号： | 202110234522.8 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN112863571B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 单伟伟;王涛 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/10;G11C8/14;G11C7/18;G11C7/22 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了近阈值超低漏电的锁存型存储器单元及其读写控制电路，包括：译码器、控制电路、存储阵列、输入驱动电路和输出锁存电路。译码器将输入的地址信号翻译成仅有一位为高电平的独热码；控制电路根据读写使能信号、系统时钟信号以及译码器输出的独热码，产生存储阵列的读写控制信号；存储阵列由三态Latch构成，用于存储数据；输入驱动电路用于对输入数据进行延时和驱动，避免因时钟偏斜、写使能控制电路时延原因造成的数据重叠写入问题；输出锁存电路根据读使能信号和系统时钟信号，将存储阵列的输出进行锁存。相比于一般的标准单元存储器或标准6管SRAM，本发明的锁存型存储器单元及其读写控制电路能够显著降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 漏电 锁存型 存储器 单元 及其 读写 控制电路 | ||
【主权项】：
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