[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110235683.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113496974A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/528;H01L25/07 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一第一半导体结构；一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、多个第一连接接触点以及多个第一支撑接触点，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，该多个第一连接接触点位在该第一连接隔离层中，该多个第一支撑接触点位在该第一连接隔离层中；以及一第二半导体结构，设置于该第一连接结构上，其中该多个第一连接接触点的上表面接触该第二半导体结构的一下表面；其中该多个第一连接接触点的上表面以及该多个第一支撑接触点的上表面凸出该第一连接隔离层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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