[发明专利]基板处理方法和基板处理系统在审
| 申请号： | 202110241710.3 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113394130A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 松田梨沙子;木下忍;大家学;庄司庆太 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。作为使用被供给至腔室的气体来处理基板的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设定作为控制对象的气体的压力的阈值；工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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