[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器

摘要

本发明公开了一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其结构包括：集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板，本发明实现了运用集成电路板与窄禁带芯架板相配合，通过在内置叠层的复合电路面板引导二极管通孔对接变频继电板与窄禁带引脚形成横通错位变频继电操作效果，保障变频继电器内斜架波纹管增幅防护度和窄禁带引脚的半导体化合物的窄禁带叠层继电操作效果，再通过灭弧刷轮杆提升磁随机存储器的电磁抗干扰强度和隔板静电粒子与灰尘颗粒，提升内部继电接触的中控输入输出精细化架构电路面板操作效果，提升存储器的时效性和耐用度，降低宕机隐患，提升流畅的存储运作效率。