[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110246880.0 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113035872B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明;方嘉;陈龙阳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，衬底包括有源区和隔离区；于衬底上形成第一沟槽结构，第一沟槽结构贯穿有源区和隔离区；于第一沟槽结构内形成位线接触结构，位线接触结构的上表面低于衬底上表面；于位线接触结构上形成位线结构，位线结构至少部分位于第一沟槽结构内；于位线结构上形成位线保护结构，位线保护结构至少覆盖位线结构的上表面，且相邻位线保护结构之间具有第二沟槽结构；形成电容接触结构，电容接触结构包括第一电容接触结构和第二电容接触结构；其中，第二电容接触结构覆盖第一电容接触结构的上表面和部分侧壁。本申请能够有效提高位线的结构稳定性，且降低电容接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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