[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110248633.4 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN115036263A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 金泰源;高建峰;刘卫兵;王桂磊;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底、以及形成在基底表面的金属线图案，该金属线图案包含多根间隔分布的金属线。金属线图案的上表面还覆盖有绝缘膜，且绝缘膜与基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔。通过在金属线图案的上表面覆盖绝缘膜，且绝缘膜与基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔，使相邻两根金属线之间通过两者之间的气体隔离腔作为绝缘隔离的绝缘介质，从而减小不同金属线之间的冗余电容，降低不同金属线之间的干扰，改善RC延迟现象，改善半导体器件的电特性劣化问题，提升半导体器件的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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