[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202110249709.5 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496756A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 柳睿信;金南昇;车相彦;尹载允;李起准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器装置，包括：缓冲器晶片；堆叠在缓冲器晶片上的存储器晶片；以及硅通孔，存储器晶片中的至少一个包括：存储器单元阵列；错误校正码(ECC)引擎；错误信息寄存器；以及控制逻辑电路，其被配置为控制ECC引擎，以执行读修改写操作，其中，控制逻辑电路被配置为：基于产生信号和通过ECC码解码获得的第一校正子，在错误信息寄存器中记录与第一码字关联的第一地址；以及基于多个读修改写操作，基于在错误信息寄存器中记录的第一校正子的改变来确定第一码字的错误属性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110249709.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
