[发明专利]外掩模、等离子体处理设备和光掩模的制造方法在审
| 申请号： | 202110251327.6 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097046A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 饭野由规;宫本高志 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/033;H01L21/3065;B23K10/00;G03F1/26;G03F1/76;G03F1/80;G03F1/82;G03F7/20;G03F7/42;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 阎文君;李雪春 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在通过刻蚀被处理对象来制造光掩模时使用的外掩模，所述外掩模包括：基部，其呈板形，并在中心区域具有开口；和框架部，其呈框架形，沿着所述基部的第1面的外周边缘向所述基部的厚度方向突出地设置，仅在所述被处理对象的设置有图案部的第2面的四个角处，所述框架部能够与所述第2面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 外掩模 等离子体 处理 设备 光掩模 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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