[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

摘要

本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，在对沟道孔侧壁的氮化硅层进行氧化时，首先在第一温度下进行氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第一氧化膜，之后再在第二温度下继续进行氧化，由于第一氧化膜对含氧化合物的消耗较少，使得含氧化合物能够较均匀的分布在沟道孔内部，因此氮化硅层在高温下也能继续进行均匀的氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第二氧化膜。由此可见，本申请实施例的方法能够解决在3D NAND存储器件制造过程中沟道孔的顶部反应过快而底部反应较慢，导致顶部的氧化硅较厚而底部氧化硅较薄的问题，制造得到可靠性高的器件。