[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110259885.7 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113496998A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 池田光雄;池野大辅;梶田明广 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供能够实现接触结构的低电阻化的半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体基板；导电体，该导电体包含钨(W)或钼(Mo)；第一膜，该第一膜设置于导电体与半导体基板之间，包含钛(Ti)及硅(Si)；绝缘层，该绝缘层包围导电体；和第二膜，该第二膜设置于导电体与绝缘层之间，包围导电体，包含钛(Ti)及氮(N)，其中，半导体基板与第二膜的半导体基板的相反侧的端部之间的第一距离小于半导体基板与导电体的半导体基板的相反侧的端部之间的第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 存储 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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