[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110264248.9 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113053805B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张东雪;林格伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：放置衬底于反应腔室内，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面覆盖有隔离层，所述隔离层表面覆盖有第一掩膜层；在预设刻蚀参数下刻蚀所述隔离层、部分所述衬底和部分所述第一导电结构，形成沟槽，所述预设刻蚀参数使得所述沟槽整个底部的刻蚀速率相等或者所述沟槽底部中心的刻蚀速率大于所述沟槽底部边缘的刻蚀速率，形成的所述沟槽具有平坦的底面或者所述沟槽的底部朝向所述衬底凹陷；形成阻挡层；形成第二导电结构。本发明减少甚至是避免了微负载效应，避免了相邻第二导电结构之间的短路问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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