[发明专利]基片输送方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202110264462.4 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113496915A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 田中诚治;佐野僚;山田洋平 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;王昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明能在闸门开放时抑制颗粒的飞扬并能抑制残留气体向气体扩散室的侵入。基片处理方法包括：在由开闭装置进行了阻隔的状态下，从第1气体供给部供给处理气体对基片实施处理的工序；一边从第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边排气，将处理容器调节为开放压力的工序；一边对真空容器从第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用第2排气系统排气，将开闭装置的真空容器侧和真空容器的任一者或两者调节为开放压力的工序；在第1压力与第2压力或第3压力变得相等时，将第2气体流量改变为比第1气体流量大的第3气体流量并将第2排气系统阻隔，将开闭装置开放的工序；和将基片从处理容器移送到真空容器的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 输送 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
