[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110265396.2 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113113470A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种结构，包括：衬底、在衬底上方的隔离结构、自该衬底延伸并邻近该隔离结构的鳍、在该鳍上方的两个源极/漏极(S/D)部件、悬在该衬底上方并连接该S/D部件的沟道层、环绕该堆叠件中每一沟道层的第一栅极结构、设置在该第一栅极结构的处于该堆叠件外表面上的两个相对侧壁上的两个外部间隔件、设置在该S/D部件和该沟道层之间的内部间隔件和在该隔离结构上方并直接连接该栅极结构一端的栅极端介电部件。该栅极端介电部件包含介电常数高于该外部间隔件和该内部间隔件中所包含材料的介电常数的第一材料。本发明的实施例还公开了一种形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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