[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 202110265786.X | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113388328A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 石黑创之介;大西正悟 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;B24B57/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明的研磨用组合物为包含磨粒、添加剂、pH调节剂和分散介质的研磨用组合物，前述磨粒的zeta电位为负，前述添加剂为具有叔氮原子的桥连二环式化合物，前述添加剂的含量相对于研磨用组合物总质量大于0质量％且小于0.5质量％，所述研磨用组合物的pH小于5。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 制造 方法 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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