[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110269758.5 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113053899B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 邵波;刘欣然;王春阳;孙玉乐;李振兴 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决在蚀刻介质层的过程中，粗糙的顶面容易造成离子散射，形成的电容孔洞尺寸精度差，影响电容结构性能的问题。该半导体结构制作方法，在基底上形成膜层结构，在膜层结构上形成图形转移层，图形转移层上定义多个孔洞，并对图形转移层进行平坦化处理；通过孔洞蚀刻膜层结构，以在膜层结构中形成电容孔洞；在形成电容孔洞之前，对图形转移层的顶面进行了平坦化处理，在进行蚀刻的过程中，平坦的图形转移层顶面可以避免发生离子散射，进而避免形成的电容孔洞侧壁出现鼓包、或者电容孔洞倾斜，提高了电容孔洞的尺寸精度，提高了电容结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110269758.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
