[发明专利]一种基于双极性RRAM的非易失性触发器有效
| 申请号： | 202110271185.X | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN112652342B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴佳;李礼;吴叶楠 | 申请（专利权）人： | 浙江威固信息技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海氦闪专利代理事务所(普通合伙) 31354 | 代理人： | 李明;袁媛 |
| 地址： | 313200 浙江省湖州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及触发器相关设备领域，尤其涉及一种基于双极性RRAM的非易失性触发器，如摘要附图所示，由PMOS晶体管1、PMOS晶体管2、PMOS晶体管3、PMOS晶体管4、PMOS晶体管5、NMOS晶体管1、NMOS晶体管2、NMOS晶体管3、NMOS晶体管4、NMOS晶体管5、限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R4、参考电阻R5、反相器1、反相器2、反相器3、反相器4、阻变随机存储器RRAM组成，输入端有电源VDD、地GND、输入数据D和输入时钟PK，输出端为输出数据Q。本发明的基于双极性RRAM的非易失性触发器，解决了传统触发器在断电后数据不能保存，恢复供电后之前存储的数据不能恢复的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极性 rram 非易失性 触发器 | ||
【主权项】：
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