[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110271609.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN115083891A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 赵炳贵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构顶部的金属层、位于栅极结构侧部的源漏掺杂层以及覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；在金属层和所述层间介质层上方形成带有凹槽的帽层，凹槽至少露出部分所述金属层；在凹槽和所述帽层上形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖所述凹槽露出的所述金属层；刻蚀金属层，形成第一开口；去除硬掩膜层；在金属层和层间介质层上方依次形成中间层和氧化物层，氧化物层具有第二开口，第二开口露出所述中间层；以氧化物层为掩膜，刻蚀中间层，形成第三开口；在第三开口中形成栅极插塞，栅极插塞的特征尺寸大于金属层的特征尺寸。采用上述方法可以提升器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110271609.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
