[发明专利]半导体器件及制作方法有效
| 申请号： | 202110274455.2 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113066853B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;叶鹏;杨卓;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层上设有高压区和低压区，在高压区与低压区之间设有高低压结终端区，在低压区和高低压结终端区之间设有第一P型隔离柱，在高压区和高低压结终端区之间设有第二P型隔离柱，在第一P型隔离柱上连接第二P型隔离柱，所述第一P型隔离柱和第二P型隔离柱形成一个或多个封闭区域，高压器件设置在所述封闭区域中。所述高压器件为JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二极管器件中的一种或多种。本发明提高了芯片面积的利用率，从而降低了集成电路的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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