[发明专利]金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板在审
| 申请号： | 202110276323.3 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN115084275A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 胡合合;刘凤娟;袁广才;贺家煜;宁策;李正亮;赵坤 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/146;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板，属于电子技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层后，对有源层以及功能层进行退火处理，功能层中的镧系金属元素扩散至有源层；扩散至有源层中的镧系金属元素可以在有源层中形成陷阱态，有源层受到光照产生的光生电子，可以被该陷阱态捕获，从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题，实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 tft 制造 方法 射线 探测器 显示 面板 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110276323.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
