[发明专利]一种抗辐射高压ESD半导体器件有效
| 申请号： | 202110279594.4 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113053874B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李燕妃;朱少立;王蕾;谢儒彬;顾祥;吴建伟;洪根深;贺琪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种抗辐射高压ESD半导体器件，属于半导体技术领域。本发明在P型阱区和N型阱区的上表面引入P型漂移区，P型漂移区与N型阱区之间的耐压决定了ESD器件的触发电压，该耐压与PMOS器件的击穿结构一致，因此电路工作中将保护内部器件，避免发生ESD损伤。在P型阱区的表面引入P型第一重掺杂区，增加了寄生三极管NPN器件的基区浓度，降低基区输运系数，避免单粒子辐射情况下，高压ESD器件提前开启，从而提高器件的抗单粒子闩锁能力，同时还提高了器件的维持电压。埋氧化层上面的P型埋层降低了寄生NPN三极管发射结并联电阻，提高寄生NPN三极管的开启门限，从而进一步提高ESD器件的抗单粒子闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 高压 esd 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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