[发明专利]存储器阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 202110279851.4 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113517303B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨柏峰;杨世海;吴昭谊;王圣祯;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H10B51/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了包括伪导电线的3D存储器阵列及其形成方法。在实施例中，一种存储器阵列包括在半导体衬底上方的铁电(FE)材料，该FE材料包括与字线接触的竖直侧壁；在FE材料上的氧化物半导体(OS)层，该OS层接触源极线和位线，该FE材料在OS层与字线之间；晶体管，包括FE材料的一部分、字线的一部分、OS层的一部分、源极线的一部分以及位线的一部分；以及晶体管与半导体衬底之间的第一伪字线，该FE材料还包括与第一伪字线接触的第一锥形侧壁。本发明的实施例还涉及存储器阵列及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110279851.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于5G的激光扫描钢轨磨损检测系统及方法
- 下一篇：刹车系统清洗置换设备
