[发明专利]一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构有效
| 申请号： | 202110281484.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113066766B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈甲锋 | 申请（专利权）人： | 陈甲锋 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/16;H01L23/10;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人： | 何兵;吕诗 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座和场效应晶体管外腔，所述场效应晶体管外腔内扣在场效应晶体管底座的顶面上，所述场效应晶体管底座与场效应晶体管外腔之间设置有若干组走线架，所述场效应晶体管底座的一侧开设有三个转动槽，三个所述转动槽的内部分别设置有铰轴一，所述铰轴一上转动连接有T型连接架，通过在走线板上开设有走线槽，将走线槽设置成左端开口大、右端开口小的喇叭状结构，使走线槽能够实现对多根导线进行整合安装，使场效应晶体管本体内部结构组装更加合理，降低场效应晶体管底座本体的故障率，提高场效应晶体管底座本体的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 碳化硅 半导体 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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