[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110282376.6 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113193083B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。生长多量子阱层中的各个阱层，在n型GaN层依次生长第一InGaN子层、InN子层、第二InGaN子层与第三InGaN子，在每两个子层之间，均通入一段时间的氨气。氨气提高阱层中的N和In的比，减小In在界面存在的析出的可能性，以提高阱层的内部质量。氨气导致的富N环境可以减少In元素的析出，有效减少In富集或者团簇的概率，提高In元素分布的均匀度以提高发光二极管的发光均匀度。同时氨气与杂质碳反映转化为气体排出反应腔，减小阱层中会残留的杂质碳以提高阱层的晶体质量，阱层的晶体质量的提高进一步会带来发光二极管发光效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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