[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110283495.3 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113140546A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 邱奕勋;蔡庆威;黄禹轩;庄正吉;张尚文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了在半导体器件的源极/漏极区和栅极结构上执行背侧蚀刻工艺的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的第一互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的第二互连结构，该第二互连结构包含：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层至第一晶体管结构的源极/漏极区的接触件；以及在接触件与第一介电层之间沿接触件侧壁的第一间隔件，面对第一介电层的该第一间隔件的侧壁与第一晶体管结构的源极/漏极区的侧壁对准。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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