[发明专利]管式炉及半导体掺杂膜层制备方法在审
| 申请号： | 202110289798.6 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112908835A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李劲昊;侯潇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/40;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种管式炉，其包括：炉管工艺腔；成膜气体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供成膜反应气体。等离子体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供等离子体。本发明的优点在于，管式炉能够进行成膜反应及等离子体掺杂反应，避免了半导体结构的转移，节省了等待时间，大大提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 管式炉 半导体 掺杂 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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