[发明专利]一种硅片制作方法及硅片有效
| 申请号： | 202110291086.8 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113066719B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 于航;马占良;刘俊嘉 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 宋江 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片制作方法及硅片，涉及微电子技术领域，硅片制作方法包括：首先在硅片的表面形成氧化层；然后通过化学气相沉积法在氧化层的表面形成保护膜；接着在保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，再利用腐蚀液在氧化层上腐蚀出图形；然后利用硅槽腐蚀液根据图形对硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于图形确定的硅槽；最终去除光刻胶层，形成具有硅槽的硅片，通过上述步骤，相较于现有技术中硅槽制作过程中由于光刻胶层过早的脱落造成的硅槽结构不完整的问题，利用化学气相沉积法形成的保护膜能够实现一种能够保证硅槽结构完整的硅片制作技术方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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