[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202110294301.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113451125A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 康松润;津田俊武;关口贤治;米泽周平;香川兴司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;王昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
