[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110294418.8 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113451512A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 柴田宽 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;金雪梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够使沟道电容器的电容增大并且抑制电容绝缘膜的耐压降低的半导体装置。具有：半导体基板；沟道，从半导体基板的一个面朝向内部延长，在侧壁表面具有凹凸结构；半导体膜，形成为覆盖沟道的侧壁表面且从侧壁表面连续地沿半导体基板的一个面延伸；对置电极，具有第一部分和第二部分，其中，上述第一部分设置于隔着半导体膜与半导体基板对置的位置，上述第一部分沿半导体基板的一个面延伸，上述第二部分从第一部分连续地延伸以填充沟道；以及绝缘膜，使半导体膜与对置电极绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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