[发明专利]半导体存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202110294504.9 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112951769B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明;方嘉;陈龙阳;武宏发 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器及其形成方法。所述半导体存储器的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括存储区域以及位于所述存储区域外部的外围区域，所述存储区域具有多个位线接触部和多个电容接触部、所述外围区域具有外围栅极接触部和外围电路接触部；形成多条位线、并同时形成外围栅极；形成位线隔离层、并同时形成外围栅极隔离层；形成与所述电容接触部接触的第一电容导电层、并同时形成与所述外围电路接触部接触的第一外围导电层；于所述位线隔离层内形成第一空气隙、并同时于所述外围栅极隔离层内形成第二空气隙。本发明简化了半导体存储器的制造步骤，并极大的降低了位线和外围栅极的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110294504.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
