[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110295792.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113451262A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 古川贵光 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;金雪梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。防止布线的宽度减少等不良情况的产生。半导体装置具备：半导体基板；种子层，形成在上述半导体基板上；以及布线，形成在上述种子层上，该布线包含拉开间隔排列的并列部分，并且在该并列部分形成沿上述并列的排列方向贯通的贯通路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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