[发明专利]原位合成法制备4H碳化硅电子材料的工艺有效
申请号: | 202110296851.5 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN112960673B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 杨东平;杨洋;王力 | 申请(专利权)人: | 河南醒狮供应链管理有限公司 |
主分类号: | C01B32/97 | 分类号: | C01B32/97 |
代理公司: | 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 | 代理人: | 刘一晓;王霞 |
地址: | 450001 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种原位合成法制备4H碳化硅电子材料的工艺,包括①选取化学纯度≥99.9%,粒度≤5μm的4H碳化硅高温提纯,经研磨得到碳化硅种料;选取化学纯度≥99.99%,粒度≤1μm的碳粉,以及化学纯度≥99.99%,粒度≤1μm的二氧化硅为原料②按照碳粉、二氧化硅、碳化硅种料=(40‑43):(51‑56):(3‑5)的重量比进行混配③在氮气保护条件下,使混配料进行高温反应,得到4H碳化硅粗品④粉碎、筛分,得到化学纯度≥99.99%,中值粒径为0‑1mm的碳化硅筛分料⑤将筛分料送入高温蒸汽气流粉碎分级系统进行粉碎、筛分,得到化学纯度≥99.99%,球形度≥0.98,中值粒径为200‑250nm的碳化硅成品,其中碳化硅成品中的结构晶型为4H‑SiC含量≥99.99%。本发明投资低收益大,绿色环保,能够实现工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 原位 成法 制备 碳化硅 电子 材料 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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