[发明专利]一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法有效
| 申请号： | 202110297854.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113053793B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 霍丽艳;滕龙;崔晓慧;吴洪浩;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/683;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法，该转移装置包括：第一磁极和第二磁极，用于产生磁场；位于所述磁场中的第一载盘，所述第一载盘上具有多个吸附元件、上电装置以及第一驱动装置，在进行Micro LED转移时，上电装置用于使得Micro LED带电，第一驱动装置用于带动所述第一载盘运动，所述第一载盘的运动方向与所述磁场方向的夹角的取值范围为0°～90°，不包括0°，使得Micro LED具有脱离所述第一载盘的作用力；位于所述磁场中的第二载盘，用于吸附转移后的Micro LED。本申请实施例提供的转移装置，在进行Micro LED转移时，不需要对Micro LED进行工艺处理，保证了转移过程中的Micro LED的良品率，同时还可以实现多个Micro LED的转移，具有较高的转移效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 阵列 器件 巨量 转移 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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