[发明专利]一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件

摘要

本发明涉及一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件，具体为提供基底，在基底上形成基础鳍片结构，在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部，第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上；所述第一堆栈部具有至少一个I型沟道结构；所述第二堆栈部具有至少一个II型沟道结构；所述第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向垂直于第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向。形成第一环绕式栅极结构，其设置在所述I型沟道结构周围；形成第二环绕式栅极结构，其设置在所述II型沟道结构周围。与现有技术相比，本发明有益的技术效果为：本发明利用侧墙掩蔽与选择性分步刻蚀结合的方法，实现Vertical Nano‑sheet与Horizontal Nano‑sheet的垂直集成，达到同时优化NMOS与PMOS沟道晶向的目的，实现在单一晶圆上NMOS与PMOS的性能同时优化。