[发明专利]物理气相沉积反应室及其使用方法在审
| 申请号： | 202110301292.2 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN115110042A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 范致中;吴昇颖;林明贤;叶书佑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室及其使用方法。物理气相沉积反应室的使用方法包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方，其中在沉积制程期间，靶材的材料沉积至沉积环的沉积槽内，其中沉积材料与沉积环的底表面的最小垂直距离为约1.78mm至约1.82mm；以及停止沉积制程以及将基板移出半导体处理腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 反应 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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