[发明专利]一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法在审
申请号: | 202110301451.9 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN115117181A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 张博;屈小勇;高嘉庆 | 申请(专利权)人: | 黄河水电西宁太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 上海政济知识产权代理事务所(普通合伙) 31479 | 代理人: | 辇甲武 |
地址: | 810007 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本发明的目的在于公开一种低成本单面钝化接触I BC电池的制作方法,包括如下步骤:(1)清洗制绒;(2)隧穿氧化层及多晶硅层制备;(3)正面Si Nx保护层制备;(4)多晶硅绕镀去除;(5)发射极制备;(6)钝化层制备;(7)掩膜制备;(8)背面N+区制备;(9)Si Nx减反层制备;及(10)金属化;与现有技术相比,可减少传统钝化接触I BC电池工艺步骤,有效地提升电池效率的同时,降低电池生产成本,使钝化接触I BC电池获得较高的性价比,有利于该类型电池的大规模生产,实现本发明的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 低成本 单面 钝化 接触 ibc 电池 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的