[发明专利]一种阵列基板的断线修补方法及阵列基板在审
申请号: | 202110301681.5 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113031358A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 卿志超;余思慧 | 申请(专利权)人: | 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 曹小翠 |
地址: | 239000 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请提供了一种阵列基板的断线修补方法及阵列基板,包括:在第二绝缘层上并位于第二金属层之断线位置的一侧的第一位置,以及第二绝缘层上并位于断线位置的另一侧的第二位置分别打孔,并依次击穿第二绝缘层、第二金属层和中间层,达到第一金属层时停止,形成两个通孔;向各通孔中注入导电膜以形成导电膜层。位于断线位置两侧的第二金属层可通过两个导电膜层及第一金属层实现电气连接,进而实现第二金属层的断线修补。相较于传统通过长线进行修补的方式来说,本申请取消了长线结构,进而避免了因长线而引起的电容耦合,有助于提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 断线 修补 方法 | ||
【主权项】:
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