[发明专利]增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 202110302187.0 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112909132A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 丁晓春;郭晓珍 | 申请(专利权)人: | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 常州易瑞智新专利代理事务所(普通合伙) 32338 | 代理人: | 周浩杰 |
地址: | 213101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:S1:晶体硅片的前期加工;S2:在晶体硅片正面激光刻划制造出正面电绝缘区;正面电绝缘区将晶体硅片划分出多个相互电绝缘的电池小单元;S3:在需要与下一电池小单元串联的电池小单元上后期印刷主栅电极的主栅电极区上进行激光开孔,形成贯孔;S4:清洗去除激光损伤;S5:在晶体硅片的正面和背面均制备钝化膜;S6:在晶体硅片的背面进行丝网印刷;S7、在晶体硅片的正面进行丝网印刷;S8:烧结印刷浆料;S9、进行测试分选。本发明能够制备获得增加输出电压并降低输出电流的单个晶体硅太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 增大 输出 电压 单个 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的