[发明专利]一种高电阻高精度电阻器的实现方法有效
| 申请号： | 202110302684.0 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113066735B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 牛崇实;林和;洪学天;黄宏嘉;张维忠 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电阻高精度电阻器的实现方法，包括：步骤1：在多晶硅电阻器的多层电介质体上沉积多晶硅层，将多晶硅层与衬底和集成电路元件隔离；步骤2：对多晶硅层的掺杂区进行高浓度离子掺杂，并采用光刻工艺形成多晶硅区域，获得第一电阻器；步骤3：沉积电阻器的金属层后进行光刻，与高度合金化区域接触，并在预设温度下进行退火，得到第二电阻器；步骤4：对第二电阻器进行合格验证，若验证成功，判定第二电阻器为高电阻高精度电阻器，否则，对第二电阻器进行校正验证。通过在金属化形成之后对电阻器进行掺杂和退火，便于提高获得的多晶硅电阻器的高表面电阻的精度，且通过其进行合格验证，便于进一步确保其的高精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 高精度 电阻器 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
