[发明专利]FinFET器件及方法在审
| 申请号： | 202110307154.5 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114551400A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 何彩蓉;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开总体涉及FinFET器件及方法。一种器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；栅极堆叠，在鳍之上；间隔件，在栅极堆叠的侧壁上；源极/漏极区域，在鳍中与间隔件相邻；层间电介质层(ILD)，在栅极堆叠、间隔件和源极/漏极区域之上延伸；接触插塞，延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域；电介质层，包括位于ILD的顶表面上的第一部分以及在ILD和接触插塞之间延伸的第二部分，其中，第二部分的顶表面比ILD的顶表面更靠近衬底；以及气隙，在间隔件和接触插塞之间，其中，电介质层的第二部分密封气隙的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
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