[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层；形成纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道孔；对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层；在所述虚拟沟道孔中填充介质层；去除所述层间牺牲层，以在所述堆栈层中形成牺牲间隙；在所述牺牲间隙中形成栅极层。本发明能够提高堆栈层的支撑力，避免在去除层间牺牲层后塌陷。