[发明专利]高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法在审
| 申请号： | 202110312986.6 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113158601A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 樊嘉杰;钱弈晨;侯峰泽;刘盼;吕全亚;张国旗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;常州佳讯光电产业发展有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/27;G06N3/00;G06N3/04;G06N3/08;G06F119/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的神经网络训练数据集；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，其中适应度值由神经网络算法预测得到。从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠 板级扇出型 sic mosfet 封装 结构 优化 方法 | ||
【主权项】：
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