[发明专利]芯片的测试方法在审
申请号: | 202110314426.4 | 申请日: | 2021-03-24 |
公开(公告)号: | CN113075531A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 索鑫 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R1/067 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种芯片的测试方法,包括:提供一芯片,选中所述芯片的任一模拟参数中的至少两个修调档位,测量得到每个选中的所述修调档位对应的模拟量;根据选中的所述修调档位及其对应的所述模拟量进行曲线拟合,以得到所述模拟参数的拟合公式;将所述模拟参数中未选中的所述修调档位带入所述拟合公式中,以得到未选中的所述修调档位对应的模拟量;根据所述芯片对应的所述模拟参数中的目标模拟量,在所述模拟参数中的所有修调档位对应的模拟量中找到所述目标模拟量以及所述目标模拟量对应的目标修调档位。本发明以解决现有技术中芯片的模拟参数修调效率和修调精度不能同时兼顾的问题。 | ||
搜索关键词: | 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110314426.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造半导体器件的方法
- 下一篇:一种用于5G物联网基站的散热机构