[发明专利]一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法有效
| 申请号： | 202110314877.8 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN112928065B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨事成;张莉;阙凤森;贺晓平;施生巍;李康;钟磊;陈冠桦 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深孔形成方法及三维存储器的形成方法，其中，深孔形成方法形成的堆叠层包括若干层交替排布的第一材料层和第二材料层，在交替排布的第一材料层和第二材料层中，至少有其中两层第一材料层的折射率不同，且折射率不同的第一材料层中，靠近基底的第一材料层的折射率小于远离基底的第一材料层的折射率，这使得在对堆叠成进行刻蚀以形成深孔的过程中，折射率较小的第一材料层的刻蚀速率高于折射率较大的第一材料层的刻蚀速率，弥补刻蚀过程中靠近衬底的刻蚀气体量较小的实际情况，使得刻蚀后靠近衬底的第一材料层的深孔宽度与远离衬底的第一材料层的深孔宽度趋于一致，进而优化堆栈结构深孔刻蚀后的深孔尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 以及 三维 存储器 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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