[发明专利]一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110315791.7 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113084454B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;徐蔓 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00;C22C21/12;C22F1/057;C23C14/30 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)热处理金属圆锭，锻伸，得到长方形金属锭；(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；(3)热处理步骤(2)所得条状金属锭，冷却后进行轧制处理，得到金属板；(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到三角形蒸发料。本发明所得三角形蒸发料尺寸较小，且形状独特，不易与其他形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 蒸发 镀膜 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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