[发明专利]一种铬硅合金溅射靶材的制备方法有效
| 申请号： | 202110315792.1 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113073299B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;杨慧珍 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C22C27/06;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/24 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：保护气氛下球磨混合铬粉与硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的质量分数不超过16wt％；所得混合料装模压实，然后进行抽真空处理；完成所述抽真空处理后，进行第一热处理，第一热处理过程中压力不超过6MPa；依次进行第二热处理、第一加压、第二加压与保温保压；保温保压结束后进行保护性气体置换，至压力为‑0.06MPag至‑0.08MPag，然后进行随炉冷却；机加工至所需尺寸，完成铬硅合金溅射靶材的制备。本发明提供的制备方法能够制备硅含量不超过16wt％的铬硅合金靶材，且制备所得靶材的致密度99％，纯度≥99.95％，满足磁控溅射对靶材纯度和密度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
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