[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成叠层结构，并在叠层结构的核心区域中形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道结构；以及在核心区域中形成第一栅线间隙和第二栅线间隙，第一栅线间隙和第二栅线间隙贯穿叠层结构并且在平行于衬底的第一方向上间隔设置，第一栅线间隙将核心区域分割成多个存储块区域，每个存储块区域包括阵列式排布的多个沟道结构和至少一个第二栅线间隙，其中，第一栅线间隙在第一方向的关键尺寸小于第二栅线间隙在第一方向的关键尺寸。根据该制备方法，缩小了作为存储块区域划分的栅线间隙的关键尺寸，可有效地增加有效存储单元阵列面积，同时可增加三维存储器结构的稳定性。