[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110323591.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078109B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王蒙蒙;黄信斌;张强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有底部保护墙；在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上形成凹槽，所述凹槽的侧壁与所述底部保护墙的侧壁具有一不为零的夹角，且所述凹槽的底部延伸至所述衬底的内部；在所述凹槽中形成顶部保护墙，所述顶部保护墙与所述底部保护墙直接接触。本发明提出的半导体结构和制作方法，通过形成侧壁倾斜的顶部保护墙，可以减弱芯片切割时裂缝或应力在顶部保护墙上的破坏能力，提高顶部保护墙的保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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