[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法有效
| 申请号： | 202110325602.4 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078062B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张园览;张清纯 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/266;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种肖特基二极管的制造方法。包括以下步骤：提供衬底层；在衬底层上形成漂移层；在漂移层的表面形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜对漂移层进行刻蚀，在漂移层中形成凹槽；形成凹槽之后，横向刻蚀掩膜层以暴露凹槽周围的漂移层的顶部表面；横向刻蚀掩膜层之后，以掩膜层为掩膜在凹槽侧壁和底部的漂移层形成掺杂层，掺杂层的导电类型与漂移层的导电类型相反；形成掺杂层之后，去除图形化的掩膜层。该方法减少了掩膜板的使用，实现了自对准，不易引入其他影响因素，降低了制造工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司，未经光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110325602.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
