[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202110326564.4 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113078115B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴公一;丁瑞艮;唐贤贤;邓楠;王玉尘 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：提供基底以及位于基底上的多个相互分立的导电结构；在各个导电结构的上表面形成绝缘层；形成隔离结构，隔离结构位于每个导电结构的侧壁和每个绝缘层的侧壁；去除部分位于绝缘层侧壁的隔离结构，剩余的隔离结构的上表面高于导电结构的上表面；去除部分远离导电结构的绝缘层，在垂直于绝缘层侧壁的方向上，剩余的绝缘层顶部的宽度小于剩余的绝缘层底部的宽度；基底表面、隔离结构侧壁和绝缘层侧壁围成沟槽，在垂直于沟槽侧壁的方向上，沟槽开口处的宽度大于沟槽底部的宽度。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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