[发明专利]MOS器件及其制造方法、以及ESD防护电路有效
| 申请号： | 202110330027.7 | 申请日： | 2021-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN113097306B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 刘琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件及其制造方法、以及ESD防护电路。所述MOS器件包括半导体衬底、设于半导体衬底表面的栅极结构、设于半导体衬底内并位于栅极结构两侧的漏区和源区，及设于半导体衬底表面并位于栅极结构一侧的第一侧墙。其中，栅极结构包括与漏区相邻的第一侧壁，第一侧墙覆盖栅极结构的第一侧壁及漏区。当所述MOS器件用于ESD防护时，所述MOS器件的第一侧墙、栅极结构及源区均接地，使得所述第一侧墙附加零电位，可以起到降低并分散所述漏区表面电场的效果，提高了所述漏区的耐压能力，从而不增大所述MOS器件的尺寸即可提高其击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制造 方法 以及 esd 防护 电路 | ||
【主权项】：
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